The Schottky diode (named after German physicist Walter H. Schottky), also known as hot carrier diode, is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor with a metal. It has a low forward voltage drop and a very fast switching action. The cat's-whisker detectors used in the early days of wireless and metal rectifiers used in early power applications can be considered primitive Schottky diodes.

Property Value
dbo:abstract
  • The Schottky diode (named after German physicist Walter H. Schottky), also known as hot carrier diode, is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor with a metal. It has a low forward voltage drop and a very fast switching action. The cat's-whisker detectors used in the early days of wireless and metal rectifiers used in early power applications can be considered primitive Schottky diodes. When sufficient forward voltage is applied, a current flows in the forward direction. A silicon diode has a typical forward voltage of 600–700 mV, while the Schottky's forward voltage is 150 – 450 mV. This lower forward voltage requirement allows higher switching speeds and better system efficiency. (en)
  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) وصلة شوتكي أو ديود شوتكي (بالإنجليزية: Schottky diode )هي أحد المكونات الإلكترونية وهي نوع خاص من وصلة بي إن (ديود) حيث يقوم معدن مقام " شبه الموصل نوع بي " في الوصلة . تتكون في وصلة p-n تقليدية من شبه موصل مشوب بمادة فقيرة الإلكترونات فتكون حاملة ثغرات موجبة الشحنة وتسمى "نوع بي" . وتوصل معها شبه موصل مشوب بذرات غنية بالإلكترونات ، وينتج منها "النوع إن" تكثر فيها الإلكترونات وتصبح سالبة الشحنة . ويتكون الصمام الثنائي من جزئين أحدهما "النوع بي" والآخر من "النوع إن " وهكذا تنتج "الوصلة بي-إن " . وصلة شوتكي تستعيض عن "النوع بي" بمعدن . ينتج من هذا التلاصق معبر p-n خاص في وصلة شوتكي وهي تعمل تحت ظروف معينة كمقاومة أومية. من أهم مميزات ثنائي شوتكي أنه سريع الفتح والإغلاق لذلك يتم استخدامه في دارات الترددات العالية (طول الموجة مليمترية ، أي في نطاق تردد جيجا هرتز ) (جهد الفتح له 0,4 فولت)، كما يستخدم في دارات التقنية الرقمية أيضاً. (ar)
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt. (de)
  • El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa éste opere de forma similar a como lo haría regularmente. (es)
  • Une diode Schottky (nommée d'après le physicien allemand Walter H. Schottky) est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court. Ceci permet la détection des signaux HF faibles et hyperfréquences, la rendant utile par exemple en radioastronomie. On l'utilise aussi pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes intensités pour le redressement de puissance avec des pertes par effet joule réduites du fait de sa faible chute de tension. (fr)
  • ショットキーバリアダイオード(en:Schottky diode:SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。 多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。しかし、逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25°Cで数MΩ、125°Cで数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。 このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、スイッチング電源などの電源回路でよく使われており、検波用などの型番もある。 論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。よく使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。さらに電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。 (ja)
  • Il diodo Schottky (dal nome del fisico tedesco Walter Schottky) è un diodo con bassa tensione di soglia e alta velocità di commutazione. Il cat's-whisker detector può essere considerato come un primitivo diodo Schottky. Quando scorre una corrente attraverso un diodo si instaura una piccola caduta di tensione sui suoi terminali. Un normale diodo al silicio ha una caduta di tensione ai suoi capi intorno ai 0.6-0.7 volt, mentre la caduta di tensione ai capi di un diodo Schottky si aggira intorno ai 0.15-0.45 volt (la caduta tende ad aumentare all'aumentare della corrente che percorre il diodo schottky). Questa bassa caduta di potenziale permette di avere elevate velocità di commutazione e una migliore efficienza del sistema. (it)
  • Een schottkydiode is een halfgeleiderdiode die bestaat uit een overgang tussen een metaal en een n-gedoteerde halfgeleider in plaats van de gebruikelijke pn-overgang in een gewone halfgeleiderdiode. De schottkydiode is genoemd naar de Duitse natuurkundige Walter Schottky. De gelijkrichtende werking van een dergelijke overgang werd al in 1874 door Ferdinand Braun waargenomen. (nl)
  • Dioda Schottky’ego (wym. szotkiego) – dioda półprzewodnikowa, w której w miejsce złącza p-n zastosowano złącze metal-półprzewodnik. Charakteryzuje się małą pojemnością złącza, dzięki czemu typowy czas przełączania wynosi tylko około 100 ps. Diody Schotky'ego o małych wymiarach mogą działać przy częstotliwości dochodzącej do kilkudziesięciu GHz. Natomiast diody na duże prądy znajdują zastosowanie w impulsowych urządzeniach energoelektronicznych takich jak zasilacze impulsowe (np. zasilacz komputerowy), falowniki czy przetwornice napięcia i częstotliwości pracujące z częstotliwością od 200 kHz do 2 MHz. Pozwala to na znaczną miniaturyzację tych urządzeń, jak również osiągnięcie dużej sprawności dochodzącej do 90%. Diody Schottky’ego mają również dwukrotnie mniejszy spadek napięcia w kierunku przewodzenia (UF = 0,3 V) niż diody krzemowe (UF = 0,6-0,7 V). Zwykle maksymalne napięcie wsteczne jest niewielkie i nie przekracza 100 V. Nazwa tej diody pochodzi od nazwiska niemieckiego fizyka Waltera Schottky’ego. (pl)
  • Diodo Schottky é um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na semicondução. Seu nome é uma homenagem ao físico alemão Walter Schottky. Esse Diodo serve para diminuir a carga "armadilha" no diodo. Um diodo comum ao passar da região direta de condução para a reversa, produz em um curto tempo uma corrente reversa alta, resultante de cargas armadilhas, tendo um efeito importante no uso de diodos através de frequência alta, com a fabricação de um diodo utilizando-se ao invés do material P um metal, não haverá lacunas que possam armadilhar elétrons vindos dos outros materiais durante a corrente direta, de forma que na passagem para corrente reversa haverá este aumento de corrente.Este componente é tambem muito utilizado em circuitos retificadores e chaveadores rápidos,onde tem sua maior aplicação. (pt)
  • Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки (ДШБ). В диодах Шоттки в качестве барьера Шоттки используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью. Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода Шоттки. В первую очередь — это величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются металлы Ag, Au, Pt, Pd, W, которые наносятся на полупроводник и дают величину потенциального барьера 0,2...0,9 эВ. Допустимое обратное напряжение выпускаемых диодов Шоттки ограничено 1200 вольт (CSD05120 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт. (ru)
  • 肖特基二極體(又譯萧特基二極體)是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體,是利用肖特基势垒特性而產生的電子元件,其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基(Walter H. Schottky)。 肖特基二极體的導通電壓非常低。一般的二極體在電流流過時,會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降,不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特,因此可以提昇系統的效率。 (zh)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageExternalLink
dbo:wikiPageID
  • 227130 (xsd:integer)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 744797473 (xsd:integer)
dbp:caption
  • Various Schottky barrier diodes: Small signal RF devices , medium and high power Schottky rectifying diodes
dbp:date
  • July 2015
dbp:invented
dbp:name
  • Schottky diode
dbp:pins
  • anode and cathode
dbp:reason
  • PtSi is Platinum Silicide – Pd or Pt?
dbp:symbol
  • 110 (xsd:integer)
dbp:type
dct:subject
http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
rdf:type
rdfs:comment
  • El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa éste opere de forma similar a como lo haría regularmente. (es)
  • Une diode Schottky (nommée d'après le physicien allemand Walter H. Schottky) est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court. Ceci permet la détection des signaux HF faibles et hyperfréquences, la rendant utile par exemple en radioastronomie. On l'utilise aussi pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes intensités pour le redressement de puissance avec des pertes par effet joule réduites du fait de sa faible chute de tension. (fr)
  • ショットキーバリアダイオード(en:Schottky diode:SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。 多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。しかし、逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25°Cで数MΩ、125°Cで数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。 このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、スイッチング電源などの電源回路でよく使われており、検波用などの型番もある。 論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。よく使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。さらに電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。 (ja)
  • Een schottkydiode is een halfgeleiderdiode die bestaat uit een overgang tussen een metaal en een n-gedoteerde halfgeleider in plaats van de gebruikelijke pn-overgang in een gewone halfgeleiderdiode. De schottkydiode is genoemd naar de Duitse natuurkundige Walter Schottky. De gelijkrichtende werking van een dergelijke overgang werd al in 1874 door Ferdinand Braun waargenomen. (nl)
  • 肖特基二極體(又譯萧特基二極體)是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體,是利用肖特基势垒特性而產生的電子元件,其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基(Walter H. Schottky)。 肖特基二极體的導通電壓非常低。一般的二極體在電流流過時,會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降,不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特,因此可以提昇系統的效率。 (zh)
  • The Schottky diode (named after German physicist Walter H. Schottky), also known as hot carrier diode, is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor with a metal. It has a low forward voltage drop and a very fast switching action. The cat's-whisker detectors used in the early days of wireless and metal rectifiers used in early power applications can be considered primitive Schottky diodes. (en)
  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) وصلة شوتكي أو ديود شوتكي (بالإنجليزية: Schottky diode )هي أحد المكونات الإلكترونية وهي نوع خاص من وصلة بي إن (ديود) حيث يقوم معدن مقام " شبه الموصل نوع بي " في الوصلة . تتكون في وصلة p-n تقليدية من شبه موصل مشوب بمادة فقيرة الإلكترونات فتكون حاملة ثغرات موجبة الشحنة وتسمى "نوع بي" . وتوصل معها شبه موصل مشوب بذرات غنية بالإلكترونات ، وينتج منها "النوع إن" تكثر فيها الإلكترونات وتصبح سالبة الشحنة . ويتكون الصمام الثنائي من جزئين أحدهما "النوع بي" والآخر من "النوع إن " وهكذا تنتج "الوصلة بي-إن " . وصلة شوتكي تستعيض عن "النوع بي" بمعدن . (ar)
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont (de)
  • Il diodo Schottky (dal nome del fisico tedesco Walter Schottky) è un diodo con bassa tensione di soglia e alta velocità di commutazione. Il cat's-whisker detector può essere considerato come un primitivo diodo Schottky. (it)
  • Dioda Schottky’ego (wym. szotkiego) – dioda półprzewodnikowa, w której w miejsce złącza p-n zastosowano złącze metal-półprzewodnik. Charakteryzuje się małą pojemnością złącza, dzięki czemu typowy czas przełączania wynosi tylko około 100 ps. Diody Schottky’ego mają również dwukrotnie mniejszy spadek napięcia w kierunku przewodzenia (UF = 0,3 V) niż diody krzemowe (UF = 0,6-0,7 V). Zwykle maksymalne napięcie wsteczne jest niewielkie i nie przekracza 100 V. Nazwa tej diody pochodzi od nazwiska niemieckiego fizyka Waltera Schottky’ego. (pl)
  • Diodo Schottky é um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na semicondução. Seu nome é uma homenagem ao físico alemão Walter Schottky. Esse Diodo serve para diminuir a carga "armadilha" no diodo. Um diodo comum ao passar da região direta de condução para a reversa, produz em um curto tempo uma corrente reversa alta, resultante de cargas armadilhas, tendo um efeito importante no uso de diodos através de frequência alta, com a fabricação de um diodo utilizando-se ao invés do material P um metal, não haverá lacunas que possam armadilhar elétrons vindos dos outros materiais durante a corrente direta, de forma que na passagem para corrente reversa haverá este aumento de corrente.Este componente é tambem muito utilizado em circuitos retificadores e chaveadores rápidos,onde tem sua maior apl (pt)
  • Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки (ДШБ). Допустимое обратное напряжение выпускаемых диодов Шоттки ограничено 1200 вольт (CSD05120 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт. (ru)
rdfs:label
  • Schottky diode (en)
  • وصلة شوتكي (ar)
  • Schottky-Diode (de)
  • Diodo Schottky (es)
  • Diode Schottky (fr)
  • Diodo Schottky (it)
  • ショットキーバリアダイオード (ja)
  • Schottkydiode (nl)
  • Dioda Schottky’ego (pl)
  • Diodo Schottky (pt)
  • Диод Шоттки (ru)
  • 肖特基二极管 (zh)
owl:differentFrom
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageDisambiguates of
is dbo:wikiPageRedirects of
is owl:differentFrom of
is foaf:primaryTopic of