A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction.Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode.One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure).The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor.

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  • A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction.Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode.One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure).The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor. Not all metal–semiconductor junctions form a rectifying Schottky barrier; a metal–semiconductor junction that conducts current in both directions without rectification, perhaps due to its Schottky barrier being too low, is called an ohmic contact. (en)
  • ショットキー接合(ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction)は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。 (ja)
  • Una barriera Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è una barriera di potenziale formata da una giunzione metallo semiconduttore che possiede caratteristiche rettificanti, adatta ad essere usata come diodo. Le maggiori differenze fra una barriera Schottky a una giunzione p-n sono la sua bassa tensione di giunzione e la sua piccola (quasi inesistente) larghezza della regione di carica spaziale nel metallo. Non tutte le giunzioni metallo-semiconduttore formano barriere Schottky. Una giunzione metallo-semiconduttore che non rettifica una corrente viene chiamato contatto ohmico. Le proprietà rettificanti dipendono dal lavoro di estrazione del metallo, dalla banda proibita, dal tipo e dalla concentrazione dei drogaggi nel semiconduttore e da altri fattori. La progettazione di dispositivi semiconduttori richiede una certa familiarità con l'effetto Schottky per assicurarsi di non andare a formare accidentalmente barriere Schottky laddove è invece voluto un contatto ohmico. (it)
  • Барье́р Шо́ттки (или Шо́тки, (англ. Schottky barrier)) — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: . (ru)
  • 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体界面,就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒(障壁)相較於PN接面最大的区别在於具有較低的接面电压,以及在金属端具有相當薄的(几乎不存在)耗尽层寬度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金属-半导体接面則稱為欧姆接触。整流属性決定於金属的功函、固有半导体的能隙,以及半导体的掺杂類型及浓度。在設計半导体器件時需要對肖特基效应相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基势垒。 (zh)
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  • Reverse bias: electrons are blocked from entering the semiconductor.
  • Forward bias: thermally excited electrons are able to spill into the metal.
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  • ショットキー接合(ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction)は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。 (ja)
  • Барье́р Шо́ттки (или Шо́тки, (англ. Schottky barrier)) — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: . (ru)
  • 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体界面,就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒(障壁)相較於PN接面最大的区别在於具有較低的接面电压,以及在金属端具有相當薄的(几乎不存在)耗尽层寬度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金属-半导体接面則稱為欧姆接触。整流属性決定於金属的功函、固有半导体的能隙,以及半导体的掺杂類型及浓度。在設計半导体器件時需要對肖特基效应相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基势垒。 (zh)
  • A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction.Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode.One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure).The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor. (en)
  • Una barriera Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è una barriera di potenziale formata da una giunzione metallo semiconduttore che possiede caratteristiche rettificanti, adatta ad essere usata come diodo. Le maggiori differenze fra una barriera Schottky a una giunzione p-n sono la sua bassa tensione di giunzione e la sua piccola (quasi inesistente) larghezza della regione di carica spaziale nel metallo. (it)
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  • Schottky barrier (en)
  • Barriera Schottky (it)
  • ショットキー接合 (ja)
  • Барьер Шоттки (ru)
  • 肖特基势垒 (zh)
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