Phase-change memory (also known as PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM and C-RAM) is a type of non-volatile computer memory. PRAM uses the unique behavior of chalcogenide glass, which can be "switched" between two states, crystalline and amorphous, with the application of heat. Recent versions can achieve two additional distinct states, effectively doubling its storage capacity.

PropertyValue
dbpprop:abstract
  • Phase-change memory (also known as PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM and C-RAM) is a type of non-volatile computer memory. PRAM uses the unique behavior of chalcogenide glass, which can be "switched" between two states, crystalline and amorphous, with the application of heat. Recent versions can achieve two additional distinct states, effectively doubling its storage capacity. PRAM is one of a number of new memory technologies that are attempting to compete in the non-volatile role with the almost universal Flash memory, which has a number of practical problems these replacements hope to address.
  • Phase-change RAM ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). Das Wirkprinzip des Speichers ist die Änderung des elektrischen Widerstandes des Speichermaterials in Abhängigkeit davon, ob es in amorpher (hoher Widerstand / RESET state) oder in kristalliner (niedriger Widerstand / SET state) Phase vorliegt. Das benutzte Material ist dabei eine Chalkogenid-Legierung – ähnlich dem Material, das ebenfalls unter Ausnutzung von Phasenwechsel bei einer CD-RW bzw. DVD-RAM für die Datenspeicherung sorgt. Die dabei genutzten Materialkombinationen bestehen z. B. aus Germanium, Antimon und Tellur (häufig Legierungen aus den beiden Verbindungen GeTe und Sb2Te3).
  • La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et développement. À ne pas confondre avec la PRAM (“mémoire des paramètres”) bien connue des utilisateurs Mac. La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur. Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash.
  • La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb), Tellurio (Te) chiamata GST(composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. L'utilizzo delle due differenti fasi in una memoria elettronica digitale nasce dall'osservazione sperimentale di una bassa resistenza elettrica per la fase cristallina (1 logico) e di un'elevata resistenza elettrica per quella amorfa (0 logico). Il medesimo materiale e il medesimo concetto di immagazzinamento digitale di informazione sono stati utilizzati a partire dai primi anni 90 nelle applicazioni per dischi ottici (CD e DVD), nei quali il cambiamento di fase del materiale comporta il cambiamento locale di riflettività. In particolare una regione amorfa presenta bassa riflettività, mentre una regione cristallina presenta alta riflettività; la scrittura delle fasi è ottenuta in questo caso riscaldando localmente il materiale per mezzo di impulsi laser e la lettura avviene mediante impulsi laser di bassa potenza. PCM è la più promettente tecnologia di memoria non volatile, dati i sempre maggiori problemi di affidabilità delle memorie flash, allo scalare delle dimensioni della tecnologia. Attualmente molte società che operano nel campo dei semiconduttori sono impegnate nella ricerca e sviluppo di questa tecnologia, tra cui la californiana Intel Corporation, la coreana Samsung, l'italo-francese STMicroelectronics, la statunitense Hynix Semiconductor e la tedesca Qimonda tramite i brevetti Ovonyx. Nel febbraio 2008 Intel e STMicroelectronics hanno annunciato di aver iniziato la distribuzione dei primi prototipi di memoria da 128 Mbit a cambiamento di fase. Nel marzo 2008 nasce Numonyx, multinazionale operante nel settore delle memorie non volatili, dichiarando un ingente impegno verso la spinta alla commercializzazione della tecnologia PCM.
  • PRAM 疑似SRAMの略(Pseudo SRAM, Pseudo RAM) Phase change RAMの略。本項目で詳述。 並列ランダムアクセス機械 (Parallel Random Access Machine) の略。 PRAM (Phase change RAM)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の半導体メモリ。 結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を1ビットとして利用する。 DRAMの従来の半導体製造プロセスを使い、キャパシタ部分を相変化膜に置き換えるため、技術的に共通点が多く、既存設備を流用しやすい。 書き込みは素子への熱変化により行う。
  • Phase-change random-access memory (PCRAM) is een opslagmedium voor de computer. Soms wordt de afkorting PRAM en ook wel Phase-change memory gebruikt. PCRAM is een niet-vluchtig geheugen, zodat het ook zijn gegevens bewaart als er geen voeding is. Het is door Intel ontwikkeld en kan op termijn het populaire flashgeheugen gaan vervangen.
  • PRAM (PCRAM – Phase Change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. Zalety: możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż 1 bitu informacji stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – ok. 300 ns stosunkowo duża trwałość – 10 cykli długi czas przechowywania informacji stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu bezpośrednia zamienność z pamięciami typu Flash EEPROM Wady: na obecnym etapie wysoki koszt produkcji wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM – ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość Autorem koncepcji i prototypów pamięci PRAM jest firma Ovonyx, stąd pamięć określana jest również jako OUM – Ovonic Unified Memory. Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.
  • PRAM, förkortning för Phase-change Random Access Memory, är en nyutvecklad datorminnestyp som förväntas vara lätt att tillverka och utrymmessnål, vilket ger billiga minnen. Det ska likt flashminnet spara data även vid strömbortfall och ska vara lika snabbt som RAM-minnet då data inte behövs raderas innan ny skrives.
dbpprop:hasPhotoCollection
dbpprop:reference
rdfs:comment
  • Phase-change memory (also known as PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM and C-RAM) is a type of non-volatile computer memory. PRAM uses the unique behavior of chalcogenide glass, which can be "switched" between two states, crystalline and amorphous, with the application of heat. Recent versions can achieve two additional distinct states, effectively doubling its storage capacity.
  • Phase-change RAM ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). Das Wirkprinzip des Speichers ist die Änderung des elektrischen Widerstandes des Speichermaterials in Abhängigkeit davon, ob es in amorpher (hoher Widerstand / RESET state) oder in kristalliner (niedriger Widerstand / SET state) Phase vorliegt. Das benutzte Material ist dabei eine Chalkogenid-Legierung – ähnlich dem Material, das ebenfalls unter Ausnutzung von Phasenwechsel bei einer CD-RW bzw.
  • La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et développement. À ne pas confondre avec la PRAM (“mémoire des paramètres”) bien connue des utilisateurs Mac. La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur.
  • Phase-change random-access memory (PCRAM) is een opslagmedium voor de computer. Soms wordt de afkorting PRAM en ook wel Phase-change memory gebruikt. PCRAM is een niet-vluchtig geheugen, zodat het ook zijn gegevens bewaart als er geen voeding is. Het is door Intel ontwikkeld en kan op termijn het populaire flashgeheugen gaan vervangen.
  • PRAM (PCRAM – Phase Change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.
  • PRAM, förkortning för Phase-change Random Access Memory, är en nyutvecklad datorminnestyp som förväntas vara lätt att tillverka och utrymmessnål, vilket ger billiga minnen. Det ska likt flashminnet spara data även vid strömbortfall och ska vara lika snabbt som RAM-minnet då data inte behövs raderas innan ny skrives.
rdfs:label
  • Phase-change memory
  • Phase-change random access memory
  • Phase-Change Random Access Memory
  • Memoria a cambiamento di fase
  • PRAM
  • PCRAM
  • PRAM
  • PRAM
owl:sameAs
skos:subject
foaf:page
is dbpprop:redirect of