In electronics, a multi-level cell (MLC) is a memory element capable of storing more than a single bit of information. MLC NAND flash is a flash memory technology using multiple levels per cell to allow more bits to be stored as opposed to SLC NAND flash technologies, which uses a single level per cell. Currently, most MLC NAND stores four states per cell, so the four states yield two bits of information per cell.

PropertyValue
dbpprop:abstract
  • In electronics, a multi-level cell (MLC) is a memory element capable of storing more than a single bit of information. MLC NAND flash is a flash memory technology using multiple levels per cell to allow more bits to be stored as opposed to SLC NAND flash technologies, which uses a single level per cell. Currently, most MLC NAND stores four states per cell, so the four states yield two bits of information per cell. This reduces the amount of margin separating the states and results in the possibility of more errors. MLC NAND has the benefit of being cheaper due to the denser storage method used, but software complexity can be increased to compensate for a larger bit error ratio (BER).
  • Multi-Level-Cell-Speicherzellen, kurz MLC, sind Speicherzellen in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird. Dies wird durch Speichern von mehr als zwei Zuständen (engl. levels) in der Zelle erreicht. Das Abspeichern von mehreren Bits pro Speicherzelle hat zum Nachteil, dass die Lese- und Schreibgeschwindigkeit reduziert wird und sich bei einem Ausfall der Zelle die Bitfehlerrate (engl. bit error rate, BER) erhöht. Aus diesem Grund sind komplexere Fehlerkorrekturverfahren zum Sichern des Informationsgehalts der Daten erforderlich. In der Regel werden hier BCH-Codes eingesetzt.
  • MLC NAND Flash (mlc - język angielskiang. multi-level cell) – technologia pamięć flashpamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej bitów w przeciwieństwie do pamięci typu SLC NAND flash (slc - ang. single-level cell), której komórki składają się tylko z jednego stanu. Większość pamięci MLC NAND flash jest zaprojektowana do zapisu 2 bitów informacji na każdą komórkę, co daje 4 kombinacje. W czerwcu 2008 roku południowokoreański producent półprzewodnikowych pamięci Hynix zaprezentował pamięci mlc nand flash z trzema bitami na komórkę, co daje 8 możliwych kombinacji. Kości flash, od których wymagana jest niezawodność, projektowane są w przeciwnym kierunku. Wykorzystuje się w nich dwie komórki do zapisu pojedynczego bitu w celu zminimalizowania prawdopodobieństwa wystąpienia błędu danych.
dbpprop:date
  • August 2009
dbpprop:hasPhotoCollection
dbpprop:reference
dbpprop:wikiPageUsesTemplate
rdfs:comment
  • In electronics, a multi-level cell (MLC) is a memory element capable of storing more than a single bit of information. MLC NAND flash is a flash memory technology using multiple levels per cell to allow more bits to be stored as opposed to SLC NAND flash technologies, which uses a single level per cell. Currently, most MLC NAND stores four states per cell, so the four states yield two bits of information per cell.
  • Multi-Level-Cell-Speicherzellen, kurz MLC, sind Speicherzellen in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird. Dies wird durch Speichern von mehr als zwei Zuständen (engl. levels) in der Zelle erreicht. Das Abspeichern von mehreren Bits pro Speicherzelle hat zum Nachteil, dass die Lese- und Schreibgeschwindigkeit reduziert wird und sich bei einem Ausfall der Zelle die Bitfehlerrate (engl. bit error rate, BER) erhöht.
  • MLC NAND Flash (mlc - język angielskiang. multi-level cell) – technologia pamięć flashpamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej bitów w przeciwieństwie do pamięci typu SLC NAND flash (slc - ang. single-level cell), której komórki składają się tylko z jednego stanu. Większość pamięci MLC NAND flash jest zaprojektowana do zapisu 2 bitów informacji na każdą komórkę, co daje 4 kombinacje.
rdfs:label
  • Multi-level cell
  • MLC-Speicherzelle
  • Multi Level Cell
owl:sameAs
skos:subject
foaf:page
is dbpprop:redirect of