Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors.

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  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) فوسفيد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InP، ويكون على شكل بلورات سوداء، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الفوسفور والإنديوم. (ar)
  • Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. (en)
  • Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter. Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle. (de)
  • Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. (fr)
  • El fosfuoro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio. (es)
  • Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore composto da indio e fosforo. La sua formula chimica è InP. Viene utilizzato per produrre alcuni tipi di diodi tra cui anche i diodi LED e diodi laser. (it)
  • リン化インジウム(リンかインジウム、indium(III) phosphide)、別名インジウム燐(インジウムりん)はインジウムとリンの化合物。IUPAC名はリン化インジウム(III) (ja)
  • Fosforek indu (InP) - nieorganiczny związek chemiczny indu i fosforu, półprzewodnik. (pl)
  • Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. (ru)
  • 磷化銦(Indium phosphide,InP)是由磷和銦組成的二元半導體材料,磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同,都是面心立方(闪锌矿)晶體結構。 (zh)
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  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) فوسفيد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InP، ويكون على شكل بلورات سوداء، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الفوسفور والإنديوم. (ar)
  • Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. (en)
  • Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. (fr)
  • El fosfuoro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio. (es)
  • Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore composto da indio e fosforo. La sua formula chimica è InP. Viene utilizzato per produrre alcuni tipi di diodi tra cui anche i diodi LED e diodi laser. (it)
  • リン化インジウム(リンかインジウム、indium(III) phosphide)、別名インジウム燐(インジウムりん)はインジウムとリンの化合物。IUPAC名はリン化インジウム(III) (ja)
  • Fosforek indu (InP) - nieorganiczny związek chemiczny indu i fosforu, półprzewodnik. (pl)
  • Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. (ru)
  • 磷化銦(Indium phosphide,InP)是由磷和銦組成的二元半導體材料,磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同,都是面心立方(闪锌矿)晶體結構。 (zh)
  • Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter. (de)
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  • فوسفيد إنديوم ثلاثي (ar)
  • Indium phosphide (en)
  • Indiumphosphid (de)
  • Fosfuro de indio (es)
  • Fosfuro di indio (it)
  • Phosphure d'indium (fr)
  • リン化インジウム (ja)
  • Fosforek indu (pl)
  • Фосфид индия (ru)
  • 磷化銦 (zh)
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