Indium gallium arsenide (InGaAs) (alternatively gallium indium arsenide) is a ternary alloy (chemical compound) of indium, gallium and arsenic. Indium and gallium are both from boron group (group III) of elements while arsenic is a pnictogen (group V) element. Thus alloys made of these chemical groups are referred to as "III-V" compounds. Because they are from the same group, indium and gallium have similar roles in chemical bonding. InGaAs is regarded as an alloy of gallium arsenide and indium arsenide with properties intermediate between the two depending on the proportion of gallium to indium. InGaAs is a semiconductor with applications in electronics and optoelectronics.

Property Value
dbo:abstract
  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل. 25بك هذه بذرة مقالة عن الكيمياء بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها. * 32xبوابة الكيمياء (ar)
  • El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm). (es)
  • Indium gallium arsenide (InGaAs) (alternatively gallium indium arsenide) is a ternary alloy (chemical compound) of indium, gallium and arsenic. Indium and gallium are both from boron group (group III) of elements while arsenic is a pnictogen (group V) element. Thus alloys made of these chemical groups are referred to as "III-V" compounds. Because they are from the same group, indium and gallium have similar roles in chemical bonding. InGaAs is regarded as an alloy of gallium arsenide and indium arsenide with properties intermediate between the two depending on the proportion of gallium to indium. InGaAs is a semiconductor with applications in electronics and optoelectronics. (en)
  • Indiumgalliumarsenid (InGaAs), auch als Galliumindiumarsenid bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus den beiden Grundstoffen Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs). Die Legierung zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern und findet als direkter Halbleiter im Bereich der Optoelektronik Anwendung. (de)
  • Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и ииндия в соединении. При x=1 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=0 — арсениду индия (InAs). В литературе параметр х, где не возникает двусмысленности, обычно опускается, и формула GaInAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава. В более узком смысле, обозначение GaInAs относится к наиболее изученному составу с формулой Ga0,47In0,53As, это обычно явно указывается. Иногда, в литературе, встречается обозначение этого соединения InGaAs. Соединение является полупроводником с высокой подвижностью носителей заряда. Используется в качестве полупроводникового материала для создания приборов СВЧ, светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотодатчиков, фотогальванических элементов, как правило, в гетероструктурах. (ru)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageExternalLink
dbo:wikiPageID
  • 2141015 (xsd:integer)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 718084895 (xsd:integer)
dct:subject
http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
rdf:type
rdfs:comment
  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (مارس 2016) زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل. 25بك هذه بذرة مقالة عن الكيمياء بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها. * 32xبوابة الكيمياء (ar)
  • El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm). (es)
  • Indium gallium arsenide (InGaAs) (alternatively gallium indium arsenide) is a ternary alloy (chemical compound) of indium, gallium and arsenic. Indium and gallium are both from boron group (group III) of elements while arsenic is a pnictogen (group V) element. Thus alloys made of these chemical groups are referred to as "III-V" compounds. Because they are from the same group, indium and gallium have similar roles in chemical bonding. InGaAs is regarded as an alloy of gallium arsenide and indium arsenide with properties intermediate between the two depending on the proportion of gallium to indium. InGaAs is a semiconductor with applications in electronics and optoelectronics. (en)
  • Indiumgalliumarsenid (InGaAs), auch als Galliumindiumarsenid bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus den beiden Grundstoffen Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs). Die Legierung zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern und findet als direkter Halbleiter im Bereich der Optoelektronik Anwendung. (de)
  • Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и ииндия в соединении. При x=1 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=0 — арсениду индия (InAs). (ru)
rdfs:label
  • زرنيخيد إنديوم غاليوم (ar)
  • Indium gallium arsenide (en)
  • Indiumgalliumarsenid (de)
  • Arseniuro de indio y galio (es)
  • Арсенид галлия-индия (ru)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageRedirects of
is foaf:primaryTopic of