A heterojunction is the interface that occurs between two layers or regions of dissimilar crystalline semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the electronic energy bands in many solid state device applications including semiconductor lasers, solar cells and transistors to name a few.

PropertyValue
dbpedia-owl:thumbnail
dbpprop:abstract
  • A heterojunction is the interface that occurs between two layers or regions of dissimilar crystalline semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the electronic energy bands in many solid state device applications including semiconductor lasers, solar cells and transistors to name a few. The combination of multiple heterojunctions together in a device is called a heterostructure although the two terms are commonly used interchangeably. The requirement that each material be a semiconductor with unequal band gaps is somewhat loose especially on small length scales where electronic properties depend on spatial properties. A more modern definition may be to say that a heterojunction is the interface between any two solid state materials including crystalline and amorphous structures of metallic, insulating, fast ion conductor and semiconducting material. In 2000, the Nobel Prize was awarded with one half jointly to Herbert Kroemer (University of California at Santa Barbara, California, USA) and Zhores I. Alferov (A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia) for "developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"
  • Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke. Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern.
  • Une hétérojonction est une jonction entre deux semiconducteurs dont le gap (la bande interdite) est différent. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semiconducteurs et en optique.
  • ヘテロ接合 (heterojunction) とは異なる半導体の接合である。
  • Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch typów półprzewodników (typu n i typu p) o różnych szerokościach warstwy zaporowej. Szeroko wykorzystywane w laserach półprzewodnikowych (diody laserowe) i LED (diody elektroluminescencyjne). Różnica między homozłączem a heterozłączem polega na tym, że w heterozłączu bariera dla dziur i elektronów nie jest jednakowa, np. dla elektronów dyfundujących z n do p jest znacznie mniejsza niż dziur dyfundujących z obszaru p do n.
  • Гетеропереход GaAs/AlGaAs Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах. Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — GaAs и его твердого раствора с AlAs -- AlxGa1-xAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlxGa1-xAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов. Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя различные полупроводники, можно создать и другие интересные структуры: сверхрешётки, структуры с множественными квантовыми ямами. Если полупроводники обладают различными постоянными решётки, то возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками.
  • Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками. Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, доля яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини забороненої зони при переході від одного напівпровідника до іншого. Гетеропереходи виникають при виготовленні надґраток, квантових ям, квантових дротин, квантових точок. Введення гетеропереходу між емітером і базою в біполярних транзисторах значно покращує їхні характеристики. Для виготовлення гетеропереходів використовується метод молекулярної променевої епітаксії. Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в періодах кристалічної ґратки. Популярною парою для гетеропереходів є GaAs/AlxGa1-xAs.
  • 半导体异质结构是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
dbpprop:given
  • A.G.
  • Bhattacharya
  • D. Lion
dbpprop:hasPhotoCollection
dbpprop:place
dbpprop:publisher
dbpprop:surname
  • Feucht
  • Milnes
  • Pallab
dbpprop:title
  • Heterojunctions and metal-semiconductor junctions
  • Semiconductor Optoelectronic Devices
dbpprop:wikiPageUsesTemplate
dbpprop:year
  • 1970 (xsd:integer)
  • 1997 (xsd:integer)
rdf:type
rdfs:comment
  • A heterojunction is the interface that occurs between two layers or regions of dissimilar crystalline semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the electronic energy bands in many solid state device applications including semiconductor lasers, solar cells and transistors to name a few.
  • Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke. Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern.
  • Une hétérojonction est une jonction entre deux semiconducteurs dont le gap (la bande interdite) est différent. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semiconducteurs et en optique.
  • ヘテロ接合 (heterojunction) とは異なる半導体の接合である。
  • Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch typów półprzewodników (typu n i typu p) o różnych szerokościach warstwy zaporowej. Szeroko wykorzystywane w laserach półprzewodnikowych (diody laserowe) i LED (diody elektroluminescencyjne). Różnica między homozłączem a heterozłączem polega na tym, że w heterozłączu bariera dla dziur i elektronów nie jest jednakowa, np. dla elektronów dyfundujących z n do p jest znacznie mniejsza niż dziur dyfundujących z obszaru p do n.
  • Гетеропереход GaAs/AlGaAs Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах.
  • Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками.
rdfs:label
  • Heterojunction
  • Heteroübergang
  • Hétérojonction
  • ヘテロ接合 (半導体)
  • Heterozłącze
  • Гетеропереход
  • Гетероперехід
  • 半导体异质结构
owl:sameAs
skos:subject
foaf:depiction
foaf:page
is dbpprop:redirect of
is owl:sameAs of