Dynamic random access memory (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically. Because of this refresh requirement, it is a dynamic memory as opposed to SRAM and other static memory.

PropertyValue
dbpedia-owl:thumbnail
dbpprop:abstract
  • Dynamic random access memory (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically. Because of this refresh requirement, it is a dynamic memory as opposed to SRAM and other static memory. The advantage of DRAM is its structural simplicity: only one transistor and a capacitor are required per bit, compared to four transistors in SRAM. This allows DRAM to reach very high density. Unlike flash memory, it is volatile memory, since it loses its data when the power supply is removed.
  • Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff, der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt. Das speichernde Element ist dabei ein Kondensator, der entweder geladen oder entladen ist. Über einen Schalttransistor wird er zugänglich und entweder ausgelesen oder mit neuem Inhalt beschrieben. Der Speicherinhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte Information geht bei fehlender Betriebsspannung oder zu später Wiederauffrischung verloren.
  • La Dynamic Random Access Memory (DRAM) és una memòria electrònica d'accés aleatori, que s'usa principalment en els mòduls de memòria RAM i en altres dispositius, com a memòria principal del sistema. Es denomina dinàmica, ja que per a mantenir emmagatzemat una dada, es requereix revisar el mateix i recarregar-lo, cada cert període de temps, en un cicle de refresc. El seu principal avantatge és la possibilitat de construir memòries amb una gran densitat de posicions i que encara funcionin a una velocitat alta: en l'actualitat es fabriquen integrats amb milions de posicions i velocitats d'accés amidats en milions de bit per segon. És una memòria volàtil, és a dir quan no hi ha alimentació elèctrica, la memòria perd la informació que tenia emmagatzemada. Inventada a la fi dels anys seixanta, és una de les memòries mes usades en l'actualitat.
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory) je druh počítačové paměti, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (Gate) tranzistoru typu MOS. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky - bitu. V každé buňce dochází k pomalému spontánnímu vybíjení náboje, a proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, t.j. opětovné nabíjení parazitní kapacity tzv. refresh. Dynamické paměti se vyznačují šestinásobně větší hustotou zaznamenané informace oproti statickým pamětím SRAM což má za následek nižší cenu při vyšší kapacitě. Na rozdíl od SRAM však mají kvůli potřebě stálého obnovování nezanedbatelnou spotřebu energie i když se k nim nepřistupuje (nedochází k zápisu ani ke čtení). V praxi byly běžné typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy SDRAM a DDR SDRAM.
  • DRAM(Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria electrónica de acceso aleatorio, que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto periodo de tiempo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias mas usadas en la actualidad.
  • DRAM (engl. Dynamic Random Access Memory) on luku- ja kirjoitusmuistin tyyppi, jossa jokainen bitti tallennetaan erilliseen kondensaattoriin. Koska kondensaattorin varaus ajan myötä häviää, muisti vaatii säännöllistä virkistämistä. Lisäksi muistisolun lukeminen purkaa kondensaattorin, joten jokaisen lukuoperaation jälkeen data pitää tallentaa takaisin muistisoluun. DRAM-muistista on kehitetty eri tyyppejä, mm. FPM, EDO, SDRAM ja DDR SDRAM.
  • La mémoire dynamique à accès direct, en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory est un type de mémoire électronique à accès arbitraire dite Random Access Memory. La simplicité structurelle de la DRAM - un -condensateur et un transistor pour un bit - permet d'obtenir une densité élevée. Son désavantage réside dans les courants de fuite des pico-condensateurs : l'information disparaît à moins que la charge des condensateurs ne soit rafraîchie avec une période de quelques millisecondes. D'où le terme de dynamique. Sans alimentation la DRAM perd ses données, ce qui la range dans la famille des mémoires volatiles. A contrario les mémoires statiques SRAM n'ont pas besoin de rafraîchissement mais utilisent plus d'espace.
  • Fájl:RAM n. jpg Különböző DRAM típusok A DRAM a Dynamic RAM, dinamikus RAM rövidítése.
  • La DRAM, acronimo di Dynamic Random Access Memory, è un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore. Il numero di elettroni presenti nel condensatore determina se il bit è 1 o 0. Se il condensatore perde la carica, l'informazione è perduta: nel funzionamento la ricarica avviene periodicamente. Da qui la definizione di memoria dinamica, opposta alle memorie statiche come la SRAM. Per la caratteristica di perdere le informazioni in mancanza di energia, la DRAM viene definita anche volatile; è detta anche memoria solida.
  • Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体を使用した電子部品の1種である。記憶素子であるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やデジタル・テレビやデジタル・カメラなど多くの情報機器の記憶装置に用いられる。 DRAMは、キャパシタ（コンデンサ）に電荷を蓄えることにより情報を記憶し、電源供給が無くなると記憶情報も失われる揮発性メモリであるために、長期記録の用途には向かず、情報処理過程の一時的な作業記憶の用途に用いられる。
  • Dynamic random access memory, kortweg DRAM, is een type RAM waarbij iedere bit in een eigen condensator wordt opgeslagen. De opgeslagen lading lekt snel weg en moet daarom periodiek worden ververst. Vanwege dit herladen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot SRAM. Een computer met DRAM voert dus niet alleen het nuttige programma uit, maar moet ook steeds het volledige geheugen verversen, dus lezen en weer herschrijven. Gelukkig zorgt de hardware hiervoor, zodat de programmeur er geen omkijken naar heeft. Bovendien is een geheugenchip in staat een hele rij van de gegevensmatrix ineens te verversen, waarbij de gegevens niet buiten de chip hoeven te komen. Het voordeel ten opzichte van SRAM is, dat er weinig componenten per bit nodig zijn: één transistor en condensator per bit, vergeleken met zes transistors in SRAM. Hierdoor kan met DRAM een hogere integratiedichtheid behaald worden. DRAM en SRAM verliezen de gegevens als de voedingsspanning wegvalt en zijn dus vluchtige geheugens.
  • Dynamic Random Access Memory (DRAM) utgjør det vanligste minnet i datamaskinen. Det er ikke det raskeste minnet, men det har en enkel oppbygning, det er billig, og gjør jobben. I DRAM-brikkene lagres hver bit som en ladning på en kondensator koblet til en transistor. Problemet er at kondensatoren ikke klarer å holde på spenningen, men må oppdateres hele tiden. Hvert andre millisekund, som blir ca. 100 ganger i sekundet.
  • Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej o dostępie swobodnym, której bity są reprezentowane przez stan naładowania kondensatorów. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego. W przeciwieństwie do pamięci statycznych nie wymagają stałego zasilania, a jedynie okresowego odświeżania zawartości (ze względu na rozładowywanie się kondensatorów). Dzięki takiemu zasilaniu zużywają mniej energii. Jednocześnie pojedyncza komórka pamięci dynamicznej składa się z mniejszej liczby elementów niż analogiczna komórka pamięci statycznej. Powyższe cechy pozwalają na większe upakowanie elementów w układach scalonych, co daje efekt w postaci niższych kosztów produkcji i pozwala na budowę układów pamięci o większych pojemnościach. Odświeżanie musi następować w regularnych odstępach czasu oraz bezpośrednio po każdej po operacji odczytu i polega na ponownym zapisie odczytanej wartości w tych samych komórkach pamięci. Za odświeżanie odpowiedzialne są specjalizowane układy wspomagające (kontroler pamięci – obecnie najczęściej stanowi on integralną część chipsetu) bądź sam procesor. Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspiesza sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci. Pamięci dynamiczne są obecnie szeroko wykorzystywane jako pamięć operacyjna we wszystkich urządzeniach niespecjalizowanych.
  • DRAM é um tipo de memória RAM de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitor. O número de elétrons armazenados no condensador determina se o bit é considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de elétrons do condensador, a informação acaba por se perder, a não ser que a carga seja refrescada periodicamente. Embora esse fenômeno da perda de carga não ocorra nas memórias RAMs estáticas, as DRAMs possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espaço armazenar muito mais bits (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um transistor e um capacitor necessários para cada bit (ao contrário dos 4 transistores da SRAM).
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом, также запоминающее устройство, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров. Физически память DRAM состоит из ячеек, созданых в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей. Как запоминающее устройство, DRAM-память представляет собой модуль различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъём, необходимый для подключения модуля к материнской плате.
  • DRAM eller Dynamic RAM är ett minne som måste uppdateras hela tiden för att bibehålla informationen till skillnad från SRAM som är statiskt. Denna typ av minne är utmärkt till grafikkort och minnesmoduler till datorer. Den första minnescellen enligt DRAM-principen togs fram 1966 av Robert Dennard, en forskare på IBM:s Thomas J. Watson Research Center.
  • Dinamik Rastgele Erişimli Bellek (Dynamic Random Access Memory), dinamik rastgele erişimli bellek bir tümleşik devre içinde her bir veri bitini ayrı bir kapasitör içinde saklayan Rastgele Erişimli Bellek türüdür. Kapasitör’ler yapıları gereği bir süre sonra boşalacağından yenileme/tazeleme (refresh) devresine ihtiyaçları vardır. Bu yenileme ihtiyacından dolayı DRAM, SRAM(Statik Rastgele Erişimli Bellek) ve diğer statik belleklerin zıttı durumundadır. DRAM’nin SRAM üzerindeki avantajı onun yapısal basitliğidir:1 bit için 1 transistör ve 1 kapasitör DRAM için yeterliyken SRAM için 6 transistör gerekir. DRAM, yenileme devresinden dolayı çok yer kaplar. Güç kaynağı açık olduğu durumda DRAM ve SRAM sakladığı verileri korur bu nedenle her iki bellek aygıtı da volatile ‘dir. (Güç kaynağı kesildiğinde veriler kaybolur)
  • 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致电位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後立刻消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。
dbpprop:hasPhotoCollection
dbpprop:noteLabelProperty
  • a
  • ecc
  • ecc_rates
dbpprop:refLabelProperty
  • a
  • ecc
  • ecc_rates
dbpprop:reference
dbpprop:wikiPageUsesTemplate
rdf:type
rdfs:comment
  • Dynamic random access memory (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically. Because of this refresh requirement, it is a dynamic memory as opposed to SRAM and other static memory.
  • Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff, der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt. Das speichernde Element ist dabei ein Kondensator, der entweder geladen oder entladen ist.
  • La Dynamic Random Access Memory (DRAM) és una memòria electrònica d'accés aleatori, que s'usa principalment en els mòduls de memòria RAM i en altres dispositius, com a memòria principal del sistema. Es denomina dinàmica, ja que per a mantenir emmagatzemat una dada, es requereix revisar el mateix i recarregar-lo, cada cert període de temps, en un cicle de refresc.
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory) je druh počítačové paměti, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (Gate) tranzistoru typu MOS. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky - bitu. V každé buňce dochází k pomalému spontánnímu vybíjení náboje, a proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, t.j.
  • DRAM(Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria electrónica de acceso aleatorio, que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto periodo de tiempo, en un ciclo de refresco.
  • DRAM (engl. Dynamic Random Access Memory) on luku- ja kirjoitusmuistin tyyppi, jossa jokainen bitti tallennetaan erilliseen kondensaattoriin. Koska kondensaattorin varaus ajan myötä häviää, muisti vaatii säännöllistä virkistämistä. Lisäksi muistisolun lukeminen purkaa kondensaattorin, joten jokaisen lukuoperaation jälkeen data pitää tallentaa takaisin muistisoluun. DRAM-muistista on kehitetty eri tyyppejä, mm. FPM, EDO, SDRAM ja DDR SDRAM.
  • La mémoire dynamique à accès direct, en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory est un type de mémoire électronique à accès arbitraire dite Random Access Memory. La simplicité structurelle de la DRAM - un -condensateur et un transistor pour un bit - permet d'obtenir une densité élevée.
  • Fájl:RAM n. jpg Különböző DRAM típusok A DRAM a Dynamic RAM, dinamikus RAM rövidítése.
  • La DRAM, acronimo di Dynamic Random Access Memory, è un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore. Il numero di elettroni presenti nel condensatore determina se il bit è 1 o 0. Se il condensatore perde la carica, l'informazione è perduta: nel funzionamento la ricarica avviene periodicamente. Da qui la definizione di memoria dinamica, opposta alle memorie statiche come la SRAM.
  • Dynamic random access memory, kortweg DRAM, is een type RAM waarbij iedere bit in een eigen condensator wordt opgeslagen. De opgeslagen lading lekt snel weg en moet daarom periodiek worden ververst. Vanwege dit herladen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot SRAM. Een computer met DRAM voert dus niet alleen het nuttige programma uit, maar moet ook steeds het volledige geheugen verversen, dus lezen en weer herschrijven.
  • Dynamic Random Access Memory (DRAM) utgjør det vanligste minnet i datamaskinen. Det er ikke det raskeste minnet, men det har en enkel oppbygning, det er billig, og gjør jobben. I DRAM-brikkene lagres hver bit som en ladning på en kondensator koblet til en transistor. Problemet er at kondensatoren ikke klarer å holde på spenningen, men må oppdateres hele tiden. Hvert andre millisekund, som blir ca. 100 ganger i sekundet.
  • Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej o dostępie swobodnym, której bity są reprezentowane przez stan naładowania kondensatorów. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego.
  • DRAM é um tipo de memória RAM de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitor. O número de elétrons armazenados no condensador determina se o bit é considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de elétrons do condensador, a informação acaba por se perder, a não ser que a carga seja refrescada periodicamente.
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом, также запоминающее устройство, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров.
  • DRAM eller Dynamic RAM är ett minne som måste uppdateras hela tiden för att bibehålla informationen till skillnad från SRAM som är statiskt. Denna typ av minne är utmärkt till grafikkort och minnesmoduler till datorer. Den första minnescellen enligt DRAM-principen togs fram 1966 av Robert Dennard, en forskare på IBM:s Thomas J. Watson Research Center.
  • Dinamik Rastgele Erişimli Bellek (Dynamic Random Access Memory), dinamik rastgele erişimli bellek bir tümleşik devre içinde her bir veri bitini ayrı bir kapasitör içinde saklayan Rastgele Erişimli Bellek türüdür. Kapasitör’ler yapıları gereği bir süre sonra boşalacağından yenileme/tazeleme (refresh) devresine ihtiyaçları vardır. Bu yenileme ihtiyacından dolayı DRAM, SRAM(Statik Rastgele Erişimli Bellek) ve diğer statik belleklerin zıttı durumundadır.
rdfs:label
  • Dynamic random access memory
  • Dynamic Random Access Memory
  • DRAM
  • DRAM
  • DRAM
  • DRAM
  • Dynamic Random Access Memory
  • DRAM
  • DRAM
  • Dynamic Random Access Memory
  • Dynamic random access memory
  • DRAM
  • Pamięć dynamiczna (informatyka)
  • Dynamic random access memory
  • DRAM
  • DRAM
  • DRAM (Bilgisayar)
  • DRAM
owl:sameAs
skos:subject
foaf:depiction
foaf:page
is dbpedia-owl:Company/product of
is dbpedia-owl:product of
is dbpprop:products of
is dbpprop:redirect of
is owl:sameAs of