Aluminium antimonide (AlSb) is a semiconductor of the group III-V family containing aluminium and antimony. The lattice constant is 0.61 nm. The indirect bandgap is approximately 1.6 eV at 300 K, whereas the direct band gap is 2.22 eV. Its electron mobility is 200 cm²·V−1·s−1 and hole mobility 400 cm²·V−1·s−1 at 300 K. Its refractive index is 3.3 at a wavelength of 2 µm, and its dielectric constant is 10.9 at microwave frequencies. AlSb can be alloyed with other III-V materials to produce the following ternary materials: AlInSb, AlGaSb and AlAsSb.

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  • Aluminiumantimonid ist eine intermetallische Verbindung aus Aluminium und Antimon und ist ein III-V-Verbindungshalbleiter. Aluminiumantimonid ist als potentieller Werkstoff für Solarzellen interessant. Dazu kann es auch mit anderen III-V-Verbindungshalbleitern versetzt werden. Mit diesen ternären Halbleitern (zum Beispiel AlInSb, AlGaSb and AlAsSb.) ist es möglich, die Bandlücke an das Sonnenspektrum besser anzupassen. (de)
  • L'antimoniure d'aluminium (AlSb) est un semi-conducteur III-V binaire, constitué d'aluminium et d'antimoine. (fr)
  • Aluminium antimonide (AlSb) is a semiconductor of the group III-V family containing aluminium and antimony. The lattice constant is 0.61 nm. The indirect bandgap is approximately 1.6 eV at 300 K, whereas the direct band gap is 2.22 eV. Its electron mobility is 200 cm²·V−1·s−1 and hole mobility 400 cm²·V−1·s−1 at 300 K. Its refractive index is 3.3 at a wavelength of 2 µm, and its dielectric constant is 10.9 at microwave frequencies. AlSb can be alloyed with other III-V materials to produce the following ternary materials: AlInSb, AlGaSb and AlAsSb. Aluminum antimonide is rather flammable because of the reducing tendency of the antimonide (Sb3−) ion. It burns to produce aluminum oxide and antimony trioxide. (en)
  • El antinoniuro de aluminio es un semiconductor del grupo III-V compuesto por antimonio y aluminio. Puede ser aleado con semiconductores del mismo grupo para formar AlInSb, AlGaSb y AlAsSb. Este compuesto se utiliza principalmnete en ciertos dispositivos electro-òpticos. Es un material prometedor para semiconductores de altatemperatura como transistores o diodos de unión P-N debido a una banda prohibida de 1.62 eV, es un material prometedor para mejorar el rendimiento de células solares. (es)
  • Aluminiumantimonide (AlSb) is een chemische metaalbinding tussen aluminium en antimoon. De roosterconstante bedraagt 0,61 nm. De band gap bedraagt ongeveer 1,6 eV bij een temperatuur van 300 K. (nl)
  • アンチモン化アルミニウム(Aluminium antimonide)は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。 300Kで、電子移動度は200cm2・V-1・s-1、正孔移動度は4002・V-1・s-1である。屈折率は、波長2μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と合金を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元合金を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。 (ja)
  • Antymonek glinu (AlSb) – nieorganiczny związek chemiczny połączenie glinu i antymonu, półprzewodnik. Zastosowanie w produkcji m.in. detektorów promieniowania X oraz gamma działających w temperaturze pokojowej.Jego szerokość przerwy zabronionej w temperaturze 300 K wynosi 1,6 eV. (pl)
  • 銻化鋁(Aluminium antimonide)是一種半導體材料,為III-V 族,其中分子裡包含了銻鋁,而它的晶格常數為0.61 nm,能隙在300K時是1.6 eV,至於它的直接能隙有2.22eV。 (zh)
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  • Aluminiumantimonid ist eine intermetallische Verbindung aus Aluminium und Antimon und ist ein III-V-Verbindungshalbleiter. Aluminiumantimonid ist als potentieller Werkstoff für Solarzellen interessant. Dazu kann es auch mit anderen III-V-Verbindungshalbleitern versetzt werden. Mit diesen ternären Halbleitern (zum Beispiel AlInSb, AlGaSb and AlAsSb.) ist es möglich, die Bandlücke an das Sonnenspektrum besser anzupassen. (de)
  • L'antimoniure d'aluminium (AlSb) est un semi-conducteur III-V binaire, constitué d'aluminium et d'antimoine. (fr)
  • El antinoniuro de aluminio es un semiconductor del grupo III-V compuesto por antimonio y aluminio. Puede ser aleado con semiconductores del mismo grupo para formar AlInSb, AlGaSb y AlAsSb. Este compuesto se utiliza principalmnete en ciertos dispositivos electro-òpticos. Es un material prometedor para semiconductores de altatemperatura como transistores o diodos de unión P-N debido a una banda prohibida de 1.62 eV, es un material prometedor para mejorar el rendimiento de células solares. (es)
  • Aluminiumantimonide (AlSb) is een chemische metaalbinding tussen aluminium en antimoon. De roosterconstante bedraagt 0,61 nm. De band gap bedraagt ongeveer 1,6 eV bij een temperatuur van 300 K. (nl)
  • アンチモン化アルミニウム(Aluminium antimonide)は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。 300Kで、電子移動度は200cm2・V-1・s-1、正孔移動度は4002・V-1・s-1である。屈折率は、波長2μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と合金を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元合金を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。 (ja)
  • Antymonek glinu (AlSb) – nieorganiczny związek chemiczny połączenie glinu i antymonu, półprzewodnik. Zastosowanie w produkcji m.in. detektorów promieniowania X oraz gamma działających w temperaturze pokojowej.Jego szerokość przerwy zabronionej w temperaturze 300 K wynosi 1,6 eV. (pl)
  • 銻化鋁(Aluminium antimonide)是一種半導體材料,為III-V 族,其中分子裡包含了銻鋁,而它的晶格常數為0.61 nm,能隙在300K時是1.6 eV,至於它的直接能隙有2.22eV。 (zh)
  • Aluminium antimonide (AlSb) is a semiconductor of the group III-V family containing aluminium and antimony. The lattice constant is 0.61 nm. The indirect bandgap is approximately 1.6 eV at 300 K, whereas the direct band gap is 2.22 eV. Its electron mobility is 200 cm²·V−1·s−1 and hole mobility 400 cm²·V−1·s−1 at 300 K. Its refractive index is 3.3 at a wavelength of 2 µm, and its dielectric constant is 10.9 at microwave frequencies. AlSb can be alloyed with other III-V materials to produce the following ternary materials: AlInSb, AlGaSb and AlAsSb. (en)
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  • Aluminiumantimonid (de)
  • Aluminium antimonide (en)
  • Antimoniuro de aluminio (es)
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  • 锑化铝 (zh)
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