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Rapid Thermal Processing (RTP) refers to a semiconductor manufacturing process which heats silicon wafers to high temperatures (over 1,000 °C) on a timescale of several seconds or less. During cooling, however, wafer temperatures must be brought down slowly to prevent dislocations and wafer breakage due to thermal shock. Such rapid heating rates are often attained by high intensity lamps or lasers. These processes are used for a wide variety of applications in semiconductor manufacturing including dopant activation, thermal oxidation, metal reflow and chemical vapor deposition.

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  • Rapid Thermal Processing
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  • Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.
  • Rapid Thermal Processing (RTP) refers to a semiconductor manufacturing process which heats silicon wafers to high temperatures (over 1,000 °C) on a timescale of several seconds or less. During cooling, however, wafer temperatures must be brought down slowly to prevent dislocations and wafer breakage due to thermal shock. Such rapid heating rates are often attained by high intensity lamps or lasers. These processes are used for a wide variety of applications in semiconductor manufacturing including dopant activation, thermal oxidation, metal reflow and chemical vapor deposition.
  • 45xCe modèle est-il pertinent ? Cliquez pour en voir d'autres.Cet article ne cite pas suffisamment ses sources (indiquez la date de pose grâce au paramètre date). Si vous disposez d'ouvrages ou d'articles de référence ou si vous connaissez des sites web de qualité traitant du thème abordé ici, merci de compléter l'article en donnant les références utiles à sa vérifiabilité et en les liant à la section « Notes et références » (modifier l'article, comment ajouter mes sources ?).
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  • Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.
  • Rapid Thermal Processing (RTP) refers to a semiconductor manufacturing process which heats silicon wafers to high temperatures (over 1,000 °C) on a timescale of several seconds or less. During cooling, however, wafer temperatures must be brought down slowly to prevent dislocations and wafer breakage due to thermal shock. Such rapid heating rates are often attained by high intensity lamps or lasers. These processes are used for a wide variety of applications in semiconductor manufacturing including dopant activation, thermal oxidation, metal reflow and chemical vapor deposition.
  • 45xCe modèle est-il pertinent ? Cliquez pour en voir d'autres.Cet article ne cite pas suffisamment ses sources (indiquez la date de pose grâce au paramètre date). Si vous disposez d'ouvrages ou d'articles de référence ou si vous connaissez des sites web de qualité traitant du thème abordé ici, merci de compléter l'article en donnant les références utiles à sa vérifiabilité et en les liant à la section « Notes et références » (modifier l'article, comment ajouter mes sources ?). Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.
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