About: Metalorganic vapour phase epitaxy   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

An Entity of Type : yago:WikicatChemicalProcesses, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)

Metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE), also known as organometallic vapour phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method used to produce single or polycrystalline thin films. It is a highly complex process for growing crystalline layers to create complex semiconductor multilayer structures. In contrast to molecular beam epitaxy (MBE) the growth of crystals is by chemical reaction and not physical deposition. This takes place not in a vacuum, but from the gas phase at moderate pressures (10 to 760 Torr). As such, this technique is preferred for the formation of devices incorporating thermodynamically metastable alloys, and it has become a major process in the manufacture of optoelectronics.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • Metallorganische Gasphasenepitaxie
  • Metalorganic vapour phase epitaxy
  • Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos
  • Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques
  • 有機金属気相成長法
  • MOCVD
  • Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
  • 有机金属化学气相沉积法
rdfs:comment
  • Metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE), also known as organometallic vapour phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method used to produce single or polycrystalline thin films. It is a highly complex process for growing crystalline layers to create complex semiconductor multilayer structures. In contrast to molecular beam epitaxy (MBE) the growth of crystals is by chemical reaction and not physical deposition. This takes place not in a vacuum, but from the gas phase at moderate pressures (10 to 760 Torr). As such, this technique is preferred for the formation of devices incorporating thermodynamically metastable alloys, and it has become a major process in the manufacture of optoelectronics.
  • 有機金属気相成長法(ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視してMOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) とも言う。 化合物半導体結晶を作製するのに用いられ、MOCVDでは原子層オーダで膜厚を制御することができるため、半導体レーザを初めとするナノテクノロジーといった数nmの設計が必要な分野で用いられる。代表的な半導体結晶成長装置である分子線エピタキシー法 (MBE) と比較し、面内での膜厚の偏差が少なく、高速成長が可能であるほか、超高真空を必要としないために装置の大型化が容易である為、大量生産用の結晶成長装置としてLEDや半導体レーザを初めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。
  • Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы (англ. Metalorganic chemical vapour deposition) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения (пиролиза) металлоорганических соединений для получения материалов (металлов и полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH3)3Ga) и трифенилмышьяка (C6H5)3As). Сам термин предложен основоположником метода Гарольдом Манасевитом в 1968 году.В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ, также используется термин "молекулярно-пучковая эпитаксия", МПЭ) рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного или атмосферного давления (от 2 до 101 кПа).
  • 有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition),是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。其他類似的名稱如:MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等,其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM",指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為金屬化合物 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。而後面三個字母 "CVD" 或是 "VPE",指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言,"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長,這種成長方式歸類於 "沉積"(Deposition);而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式,這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。
  • Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die verwendeten Anlagen identisch mit der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (engl. metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), wobei die Begriffe MOVPE, MOCVD und OMVPE im Verbindungshalbleiterbereich in der Regel für dieselben Prozesse verwendet werden. Dabei bezeichnet die MOCVD jede Abscheidung mit dem Verfahren, die MOVPE und OMVPE nur die Epitaxie, also das (ein)kristalline Wachstum auf einer kristallinen Unterlage. Im Gegensatz zu Molekularstrahlepitaxie (MBE) findet das Wachstum der Kristalle nicht im Hochvakuum, sondern im Grobva
  • La epitaxia metalorgánica en fase de vapor (del inglés, Metalorganic vapour phase epitaxy- MOVPE) es un método de deposición química vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en concreto de los compuestos semiconductores originados a raíz de una reacción en la superficie de compuestos orgánicos y metalorgánicos, y también de hidruros de metal que poseen una serie de elementos químicos concretos. Por ejemplo, el fosfuro de indio podría desarrollarse en un reactor sobre un sustrato introduciendo trimetilindio ((CH3)3In) y fosfina (PH3). Otros nombres con los que se define este proceso son: epitaxia organometálica en fase de vapor (OMVPE), deposición química metalorgánica de vapor (MOCVD) y deposición química organometálica en fase de vapor (OMCVD). La fo
  • L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.
  • MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) - technika osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej. Jest to jedna z technik epitaksjalnych, stąd jej alternatywna nazwa MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy). Technika ta jest jedną z metod otrzymywania półprzewodnikowych materiałów do produkcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych (LED) oraz baterii słonecznych.
sameAs
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git21 as of Mar 09 2019


Alternative Linked Data Documents: PivotViewer | iSPARQL | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3230 as of Apr 1 2019, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2019 OpenLink Software