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Memory refresh is the process of periodically reading information from an area of computer memory and immediately rewriting the read information to the same area without modification, for the purpose of preserving the information. Memory refresh is a background maintenance process required during the operation of semiconductor dynamic random-access memory (DRAM), the most widely used type of computer memory, and in fact is the defining characteristic of this class of memory.

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  • Memory refresh
  • Refrescamiento de memoria
  • Rafraîchissement de la mémoire
  • Memory refresh
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  • Memory refresh is the process of periodically reading information from an area of computer memory and immediately rewriting the read information to the same area without modification, for the purpose of preserving the information. Memory refresh is a background maintenance process required during the operation of semiconductor dynamic random-access memory (DRAM), the most widely used type of computer memory, and in fact is the defining characteristic of this class of memory.
  • El refrescamiento de memoria es el proceso de la lectura periódica de información de un área de la memoria de computadora, e inmediatamente reescribir la información leída en la misma área sin modificaciones. Cada ciclo de refrescamiento de memoria refresca una sucesiva área de la memoria. El refrescamiento está más frecuentemente asociado con la moderna memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Sin embargo, varias tecnologías tempranas memorias de computadora también requirieron procesos periódicos similares en propósito. Estas tecnologías incluyeron la memoria de línea de retardo y el tubo Williams.
  • Il memory refresh è il processo periodico che consiste nel leggere e riscrivere i dati in ogni singola cella di una memoria di tipo dinamico, DRAM. Nelle DRAM ogni dato presente in memoria (bit) è rappresentato dall'assenza o dalla presenza di una carica elettrica all'interno di un piccolo condensatore.Con il passare del tempo la carica all'interno si attenua. Per questo motivo vengono utilizzati i cicli di refresh per mantenere i dati all'interno della memoria sennò andrebbero persi.
  • Le rafraîchissement de la mémoire est un processus qui consiste à lire périodiquement les informations d'une mémoire d'ordinateur et les réécrire immédiatement sans modifications, dans le but de prévenir la perte de ces informations. Le rafraîchissement de la mémoire est requis dans les mémoires de type DRAM (dynamic random access memory), le type de mémoire vive le plus largement utilisé, et le rafraîchissement est une des caractéristiques principales de ce type de mémoire.
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  • El refrescamiento de memoria es el proceso de la lectura periódica de información de un área de la memoria de computadora, e inmediatamente reescribir la información leída en la misma área sin modificaciones. Cada ciclo de refrescamiento de memoria refresca una sucesiva área de la memoria. El refrescamiento está más frecuentemente asociado con la moderna memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Sin embargo, varias tecnologías tempranas memorias de computadora también requirieron procesos periódicos similares en propósito. Estas tecnologías incluyeron la memoria de línea de retardo y el tubo Williams. Compare con la memoria de núcleo magnético en la que cada celda de memoria necesita ser refrescada después de ser leída, pero no son necesarios refrescamientos periódicos. También, vea la memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) que es usada en aplicaciones similares a las de la memoria dinámica de acceso aleatorio, pero no requiere refrescamiento (de ahí la etiqueta de estática en vez de dinámica).
  • Memory refresh is the process of periodically reading information from an area of computer memory and immediately rewriting the read information to the same area without modification, for the purpose of preserving the information. Memory refresh is a background maintenance process required during the operation of semiconductor dynamic random-access memory (DRAM), the most widely used type of computer memory, and in fact is the defining characteristic of this class of memory. In a DRAM chip, each bit of memory data is stored as the presence or absence of an electric charge on a small capacitor on the chip. As time passes, the charges in the memory cells leak away, so without being refreshed the stored data would eventually be lost. To prevent this, external circuitry periodically reads each cell and rewrites it, restoring the charge on the capacitor to its original level. Each memory refresh cycle refreshes a succeeding area of memory cells, thus repeatedly refreshing all the cells in a consecutive cycle. This process is conducted automatically, in the background, by the memory circuitry, while the computer is on, and is transparent to the user. While a refresh cycle is occurring the memory is not available for normal read and write operations, but in modern memory this "overhead" time is not large enough to significantly slow down memory operation. Electronic memory that does not require refreshing is available, called static random-access memory (SRAM). SRAM circuits require more area, because an SRAM memory cell requires four to six transistors, compared to a single transistor and a capacitor for DRAM. As a result, data density is much lower in SRAM than in DRAM, and SRAM has higher price per bit. Therefore, DRAM is used for the main memory in computers, video game consoles, graphics cards and applications requiring large capacities and low cost. The need for memory refresh makes DRAM timing significantly more complicated than SRAM circuits, but the density and cost advantages of DRAM justify this complexity.
  • Le rafraîchissement de la mémoire est un processus qui consiste à lire périodiquement les informations d'une mémoire d'ordinateur et les réécrire immédiatement sans modifications, dans le but de prévenir la perte de ces informations. Le rafraîchissement de la mémoire est requis dans les mémoires de type DRAM (dynamic random access memory), le type de mémoire vive le plus largement utilisé, et le rafraîchissement est une des caractéristiques principales de ce type de mémoire. Dans une mémoire DRAM, un bit de données est codé par la présence ou l'absence d'une charge électrique sur un petit condensateur. Avec le temps, les charges électriques des condensateurs se dispersent et, sans rafraîchissement, les données seraient perdues. Pour éviter cette perte, un circuit lit périodiquement chaque bit de donnée et le réécrit, restaurant ainsi la charge du condensateur à son niveau initial. Chaque opération de rafraîchissement de la mémoire régénère une nouvelle zone de la mémoire, parcourant ainsi toutes les zones de la mémoire. Ce procédé est réalisé automatiquement, en arrière-plan, par un circuit intégré à la mémoire, aussi longtemps que l'ordinateur est sous tension. Ce procédé ne requiert aucune intervention de l'utilisateur et n'est pas visible par l'utilisateur. Pendant le rafraîchissement, la mémoire n'est pas disponible pour les opérations de lecture et d'écriture, mais dans les mémoires modernes, cela ne ralentit pas la mémoire de façon significative. Il existe des mémoires qui ne nécessitent pas de rafraîchissement : les mémoires SRAM (static random access memory). Les mémoires SRAM prennent plus de place sur les puces électroniques, car chaque cellule de mémoire SRAM nécessite de 4 à 6 transistors, comparativement à un seul transistor et un condensateur pour la mémoire DRAM. Pour cette raison, à superficie égale, la capacité de stockage des mémoires SRAM est bien moindre que pour la mémoire DRAM, de sorte que la mémoire SRAM est beaucoup plus coûteuse par bit. Par conséquent, la mémoire DRAM est utilisée comme mémoire principale dans les ordinateurs, les jeux vidéo et la plupart des autres appareils utilisant une mémoire à semi-conducteurs. Le besoin de circuits supplémentaires pour effectuer le rafraîchissement de la mémoire rend les mémoires DRAM plus complexes que les mémoires SRAM, mais la grande densité des mémoires DRAM compense largement ce désavantage.
  • Il memory refresh è il processo periodico che consiste nel leggere e riscrivere i dati in ogni singola cella di una memoria di tipo dinamico, DRAM. Nelle DRAM ogni dato presente in memoria (bit) è rappresentato dall'assenza o dalla presenza di una carica elettrica all'interno di un piccolo condensatore.Con il passare del tempo la carica all'interno si attenua. Per questo motivo vengono utilizzati i cicli di refresh per mantenere i dati all'interno della memoria sennò andrebbero persi. Quando la memoria sta eseguendo un ciclo di refresh non è disponibile ad operazioni di lettura o scrittura per un periodo di tempo. Nelle memorie moderne questo limite è stato superato perché il tempo necessario ad un'operazione di refresh è talmente breve da non riuscire a rallentare le operazioni sulla memoria.
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