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MESFET stands for metal–semiconductor field-effect transistor. It is quite similar to a JFET in construction and terminology. The difference is that instead of using a p-n junction for a gate, a Schottky (metal-semiconductor) junction is used. MESFETs are usually constructed in compound semiconductor technologies lacking high quality surface passivation such as GaAs, InP, or SiC, and are faster but more expensive than silicon-based JFETs or MOSFETs. Production MESFETs are operated up to approximately 45 GHz, and are commonly used for microwave frequency communications and radar. The first MESFETs were developed in 1966, and a year later their extremely high frequency RF microwave performance was demonstrated.

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  • MESFET
  • Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor
  • MESFET
  • MESFET
  • MESFET
  • 金属半导体场效应管
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  • MESFET(英: metal-semiconductor field effect transistor)は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。
  • MESFET is de afkorting van Metal-Semiconductor Field Effect Transistor. Het verschil met een normale FET is dat er in plaats van een standaard pn-overgang voor de gate, een Schottky (metaal-semiconductor) wordt gebruikt.
  • 金属半导体场效应管(英语:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),简称金半场效应管,是一种在结构上与结型场效应管类似,不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属、半导体接触结,构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成,例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等,它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快,但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右,在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明,其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域,由于数字集成电路的集成度不断提高,因此使用金属半导体场效应管并不如CMOS。
  • MESFET stands for metal–semiconductor field-effect transistor. It is quite similar to a JFET in construction and terminology. The difference is that instead of using a p-n junction for a gate, a Schottky (metal-semiconductor) junction is used. MESFETs are usually constructed in compound semiconductor technologies lacking high quality surface passivation such as GaAs, InP, or SiC, and are faster but more expensive than silicon-based JFETs or MOSFETs. Production MESFETs are operated up to approximately 45 GHz, and are commonly used for microwave frequency communications and radar. The first MESFETs were developed in 1966, and a year later their extremely high frequency RF microwave performance was demonstrated.
  • Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n-Kanal-JFET, jedoch tritt an die Stelle des p-dotierten Gates ein Gate aus Metall. Dadurch bildet sich anstatt eines p-n-Übergangs ein gleichrichtender Metall-Halbleiter-Übergang (Schottky-Übergang) aus, denn das Metall des Gates berührt nun direkt das Halbleitermaterial. Durch den sehr ähnlichen Aufbau und Funktionsweise besitzt der MeSFET nahezu dieselben Eigenschaften eines n-Kanal-JFETs:
  • Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino alla frequenza di circa 45 GHz e sono componenti spesso utilizzati per la costruzione di sistemi a microonde.
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  • MESFET stands for metal–semiconductor field-effect transistor. It is quite similar to a JFET in construction and terminology. The difference is that instead of using a p-n junction for a gate, a Schottky (metal-semiconductor) junction is used. MESFETs are usually constructed in compound semiconductor technologies lacking high quality surface passivation such as GaAs, InP, or SiC, and are faster but more expensive than silicon-based JFETs or MOSFETs. Production MESFETs are operated up to approximately 45 GHz, and are commonly used for microwave frequency communications and radar. The first MESFETs were developed in 1966, and a year later their extremely high frequency RF microwave performance was demonstrated. From a digital circuit design perspective, it is increasingly difficult to use MESFETs as the basis for digital integrated circuits as the scale of integration goes up, compared to CMOS silicon based fabrication.
  • Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n-Kanal-JFET, jedoch tritt an die Stelle des p-dotierten Gates ein Gate aus Metall. Dadurch bildet sich anstatt eines p-n-Übergangs ein gleichrichtender Metall-Halbleiter-Übergang (Schottky-Übergang) aus, denn das Metall des Gates berührt nun direkt das Halbleitermaterial. Durch den sehr ähnlichen Aufbau und Funktionsweise besitzt der MeSFET nahezu dieselben Eigenschaften eines n-Kanal-JFETs: * wie alle JFETs sind MeSFETs in der Regel selbstleitend (engl. normally-on), d. h., bei einer Steuerspannung von fließt ein Drainstrom. * Die Steuerung erfolgt durch eine negative Steuerspannung , durch sie verbreitert sich die Raumladungszone des Schottky-Übergangs, was bei der Schwellspannung zur Abschnürung des leitfähigen Kanals führt, der MeSFET ist nun gesperrt. Bei Silizium-MeSFETs wären das etwa 0,3 V. Wird hingegen GaAs als Halbleiterwerkstoff verwendet liegt die mögliche Spannung bei ca. 0,7 V. Vorteil des MeSFET ist, dass durch den angrenzenden Schottky-Übergang die Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal ungefähr doppelt so groß ist wie bei MOSFETs. Dadurch sind größere Ströme bei gleichen Abmessungen, sowie höhere Arbeitsfrequenzen möglich.Außerdem ist im Gegensatz zum JFET eine selbstsperrende (engl. normally-off) Variante konstruierbar, bei welcher das Gate in das Substrat eingelassen ist. Anwendung finden MeSFETs (vor allem GaAs-MESFETs) als Mikrowellentransistoren in Hochfrequenzverstärkern. Außerdem werden sie in sehr schnellen Logikschaltungen (Gigabitlogik) eingesetzt.
  • Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino alla frequenza di circa 45 GHz e sono componenti spesso utilizzati per la costruzione di sistemi a microonde. La principale limitazione dei MESFET risiede nella scarsa mobilità delle lacune all'interno dei materiali dei gruppi III-V: se si volesse realizzare un sistema CMOS tramite MESFET non sarebbe possibile ottenere le stesse prestazioni in frequenza per i dispositivi a canale p e a canale n.
  • MESFET(英: metal-semiconductor field effect transistor)は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。
  • MESFET is de afkorting van Metal-Semiconductor Field Effect Transistor. Het verschil met een normale FET is dat er in plaats van een standaard pn-overgang voor de gate, een Schottky (metaal-semiconductor) wordt gebruikt.
  • 金属半导体场效应管(英语:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),简称金半场效应管,是一种在结构上与结型场效应管类似,不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属、半导体接触结,构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成,例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等,它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快,但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右,在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明,其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域,由于数字集成电路的集成度不断提高,因此使用金属半导体场效应管并不如CMOS。
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