| rdfs:comment
| - 電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。 (ja)
- 전자이동도(電子移動度, 영어: Electron Mobility)는 외부에서 가해진 전기장 에 대한 전자의 표류 속도의 비로 정의된다. 2차원 전자계에서는 매우 낮은 산란도(Scattering rates)를 가진다. 평형 상태(Equilibrium state)에서 전도 전자(Conduction electron)들이 임의의 방향으로 움직이기 때문에 전류의 흐름은 없다. 평형 상태에서 특정 방향으로 외부 전기장 을 가해 주면 전도 전자들은 외부 전기장의 방향으로 의 힘을 받아 표류(drift)를 하게 되고 그에 따라 전류 흐름이 생긴다. 안정된 상태 (Steady state)에서 외부 전기장 때문에 생기는 전도 전자들의 운동량(Momentum) 변화는 산란에 의해 잃게 되는 운동량 변화와 정확하게 일치한다. 그리고 을 운동량 완화 시간(momentum relaxation time)이라고 한다면 을 만족하고, 이 경우 mobility 는 가 된다. 이 식에서 보는 바와 같이 전자 이동도는 운동량 완화 시간과 관련이 있다. (ko)
- Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego. W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury. (pl)
- Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности м2/(В·с) или см2/(В·с). Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м. Стоит заметить, что мгновенная скорость может быть много больше дрейфовой. Понятие подвижности может применяться только при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по электрическому полю и нет разогрева носителей, которое связано с квадратом электрического поля. (ru)
- Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність. Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м2/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. (uk)
- 电子迁移率（英語：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 (zh)
- في الفيزياء، تعتبر حركية الإلكترون أو انتقالية الإلكترون (أو ببساطة، الحركية أو الانتقالية) كمية تربط بين سرعة انجراف الالكترونات والمجال الكهربائي المسلط عبر مادة، وفقا للعلاقة: حيث سرعة الانجراف m/s (بوحدات إس آي) /s (بوحداتنظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية). المجال الكهربائي المسلط V/(m (SI / بوحداتcgs. الحركية (m2/(V·s, في وحدات إس آي، أوcm2/·s, بوحدات نظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية. وحدة حركية ممزوجة من 1 (/(V·s) = 0.0001 m2/(V·s تستعمل أيضا عادة. أنها تطبيق للالكترونات ذات الظاهرة الأعم حركية كهربائية للجسيمات المشحونة لمائع تحت تأثير مجال كهربائي. (ar)
- En la física de l'estat sòlid, la mobilitat dels electrons es caracteritza per la rapidesa amb què un electró es pot moure a través d'un metall o semiconductor, quan és atret per un camp elèctric. En els semiconductors, hi ha una quantitat anàloga per als forats, anomenada mobilitat dels forats. El terme de mobilitat del portador es refereix en general a la mobilitat tant d'electrons com de forats en semiconductors. La mobilitat dels electrons i dels forat són casos especials de la mobilitat elèctrica de les partícules carregades en un fluid sota un camp elèctric aplicat. . (ca)
- In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. (en)
- Mobilidade é a velocidade adquirida por um transportador de carga elétrica sob a ação de um campo elétrico unitário. Em Física do estado sólido, a mobilidade do elétron caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando submetido a um campo elétrico. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para buracos, denominado mobilidade do buraco. A expressão mobilidade do portador [de carga elétrica] refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em semicondutores. (pt)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)