About: Chemical-mechanical planarization   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

An Entity of Type : yago:Substance100019613, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)

Chemical mechanical polishing/planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • Chemical-mechanical planarization
  • Chemisch-mechanisches Polieren
  • Planarisation mécano-chimique
  • 化学機械研磨
  • Химико-механическая планаризация
  • 化学机械平坦化
rdfs:comment
  • Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
  • Chemical mechanical polishing/planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing.
  • La planarisation mécano-chimique est un processus de lissage des surfaces utilisant l'action combinée de forces mécaniques et chimiques.
  • 化学機械研磨(かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤(砥粒)自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨(表面除去)効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。 近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である(半導体工学を参照のこと)。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化(かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization)とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。
  • 化学机械平坦化 (英语:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又称化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半导体器件制造工艺中的一种技术,使用化學腐蝕及機械力对加工過程中的硅晶圓或其它衬底材料进行平坦化处理。
  • Химико-механическая планаризация (англ. Chemical mechanical polishing, CMP; также Х.-м. полировка) — один из этапов в производстве микроэлектроники (СБИС). Представляет собой комбинацию химических и механических способов планаризации (удаления неровностей с поверхности изготавливаемой полупроводниковой пластины). В 1990-х года технология CMP была одной из самых быстроразвивающихся на рынке оборудования для производства микроэлектроники. Так, с 1995 года продажи CMP-установок утроились, достигнув 520 млн долларов в 1997 году. ХМП применяется практически после каждого литографического этапа.
sameAs
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Link from a Wikipage to an external page
foaf:depiction
  • External Image
foaf:isPrimaryTopicOf
thumbnail
prov:wasDerivedFrom
has abstract
  • Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
  • Chemical mechanical polishing/planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing.
  • La planarisation mécano-chimique est un processus de lissage des surfaces utilisant l'action combinée de forces mécaniques et chimiques.
  • 化学機械研磨(かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤(砥粒)自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨(表面除去)効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。 近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である(半導体工学を参照のこと)。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化(かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization)とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。
  • 化学机械平坦化 (英语:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又称化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半导体器件制造工艺中的一种技术,使用化學腐蝕及機械力对加工過程中的硅晶圓或其它衬底材料进行平坦化处理。
  • Химико-механическая планаризация (англ. Chemical mechanical polishing, CMP; также Х.-м. полировка) — один из этапов в производстве микроэлектроники (СБИС). Представляет собой комбинацию химических и механических способов планаризации (удаления неровностей с поверхности изготавливаемой полупроводниковой пластины). Изобретен в IBM в 1983 году. В конце 1980-х IBM передала описания некоторых вариантов CMP в Intel (для производства микропроцессоров для IBM PC) и в Micron Technology (производство чипов DRAM памяти). В результате сокращений в IBM в 1990—1994 годах, много инженеров, имевших опыт работы с CMP перешло в другие компании, изготавливавшие СБИС. В 1990-х года технология CMP была одной из самых быстроразвивающихся на рынке оборудования для производства микроэлектроники. Так, с 1995 года продажи CMP-установок утроились, достигнув 520 млн долларов в 1997 году. ХМП применяется практически после каждого литографического этапа.
http://purl.org/voc/vrank#hasRank
http://purl.org/li...ics/gold/hypernym
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
is Wikipage redirect of
Faceted Search & Find service v1.17_git21 as of Mar 09 2019


Alternative Linked Data Documents: PivotViewer | iSPARQL | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3230 as of Apr 1 2019, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2019 OpenLink Software