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The 90 nanometer (90 nm) process refers to the level of CMOS process technology that was reached in the 2004–2005 timeframe, by most leading semiconductor companies, like Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, and TSMC. The origin of the 90 nm value is historical, as it reflects a trend of 70% scaling every 2–3 years. The naming is formally determined by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Even more significantly, the 300 mm wafer size became mainstream at the 90 nm node. The previous wafer size was 200 mm diameter.

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  • 90 nanometer
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  • 90 nm
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  • 90 nm désigne la technologie de gravure de microporcesseurs qui a été atteinte dans les années 2004-2005 par les principaux fabricants, à savoir Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, et TSMC. Parmi les microprocesseurs gravés en 90 nm figure le Pentium 4 d'Intel, l'Athlon 64 d'AMD, ou les premières générations de Xenon.
  • O processo de fabrico de 90 nanómetros (90 nm) em CMOS corresponde a um nó tecnológico alcançado entre os anos de 2002 e 2003 pelas principais companhias de fabricação de semicondutores, tais como a Intel Corporation, a AMD, a Infineon, a Texas Instruments, a IBM e a TSMC. A origem do valor 90 nm é histórica, refletindo uma redução da dimensão dos transístores em cerca de 30% a cada 3 anos.
  • 90纳米制程是半导体制造制程的一个水平,大约于2004年至2005年左右达成。 这个是由当时的领先半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外,12英寸圆晶在这个制程上成为主流。
  • The 90 nanometer (90 nm) process refers to the level of CMOS process technology that was reached in the 2004–2005 timeframe, by most leading semiconductor companies, like Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, and TSMC. The origin of the 90 nm value is historical, as it reflects a trend of 70% scaling every 2–3 years. The naming is formally determined by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Even more significantly, the 300 mm wafer size became mainstream at the 90 nm node. The previous wafer size was 200 mm diameter.
  • 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas.
  • Il processo produttivo a 90 nm (90 nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a 130 nm utilizzato per i microprocessori Intel dai primi mesi del 2004 e AMD dai primi mesi del 2005. Il termine "90 nm" indica la dimensione media del gate di ogni singolo transistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "90 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 65 nm.
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  • The 90 nanometer (90 nm) process refers to the level of CMOS process technology that was reached in the 2004–2005 timeframe, by most leading semiconductor companies, like Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, and TSMC. The origin of the 90 nm value is historical, as it reflects a trend of 70% scaling every 2–3 years. The naming is formally determined by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). The 193 nm wavelength was introduced by many (but not all) companies for lithography of critical layers mainly during the 90 nm node. Yield issues associated with this transition (due to the use of new photoresists) were reflected in the high costs associated with this transition. Even more significantly, the 300 mm wafer size became mainstream at the 90 nm node. The previous wafer size was 200 mm diameter.
  • 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Asimismo, la tecnología de proceso de 90 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo). Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas. Los temas de producción relacionados con esta transición (debido al uso de nuevas fotoresistencias) se reflejaron en los altos costos asociados con esta transición. Además, lo que fue aún más significativo, las obleas (wafers) de 300 milímetros de diámetro, las cuales al ser 2,25 veces más grandes que las anteriores de 200 mm naturalmente permiten extraer bastantes más chips o microprocesadores de cada una de ellas, se convirtieron en el estándar del mercado,
  • Il processo produttivo a 90 nm (90 nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a 130 nm utilizzato per i microprocessori Intel dai primi mesi del 2004 e AMD dai primi mesi del 2005. Il termine "90 nm" indica la dimensione media del gate di ogni singolo transistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "90 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm. Dal 2002 fino al 2004 l'obiettivo di passare ai 90 nm, ovvero scendere sotto la soglia per certi versi storica dei 100 nm (cioè passare dai decimi di micron, ai centesimi) è diventato quasi uno slogan e certamente quasi una priorità. Ovviamente i primi prodotti costruiti con tale processo sono stati memorie RAM prima, e Flash poi, più semplici di un processore; successivamente, affinato il processo, si è passati alla produzione delle CPU. Oltre alle già citate Intel e AMD anche altre aziende sono passate ai 90 nm, tra cui IBM, Texas Instruments, Motorola, Fujitsu e TSMC. I vantaggi nel passare a questo processo costruttivo e, più in generale, a cercare di migliorare sempre più la miniaturizzazione, sono molteplici: si va dal miglioramento della resa produttiva con conseguente abbattimento di costi (più un processore è "piccolo" e più processori possono essere fabbricati con un solo wafer), alla diminuzione del consumo elettrico, passando per la possibilità di integrare un numero di transistor sempre maggiore con conseguente aumento della potenza elaborativa. Inoltre più è piccolo il "gate" e più velocemente un transistor può commutare tra lo stato ON e OFF, indipendentemente dal clock effettivo. A 90 nm però, lo spessore dello strato isolante sopra un transistor è estremamente ridotto, e questo causa un fenomeno di elettro-migrazione, ovvero alcuni elettroni "saltano" dall'altra parte dell'isolamento. In inglese questo fenomeno viene chiamato "leakage". Tale fenomeno provoca un aumento del consumo totale del processore e quindi anche un aumento di temperatura. In sostanza quindi aumentano notevolmente i problemi e diminuiscono i veri vantaggi, senza trascurare inoltre che processi costruttivi sempre più raffinati richiedono anche una sempre maggiore sofisticazione delle macchine necessarie a produrli. Intel, più di ogni altro, si è dovuta scontrare contro questi problemi con il Pentium 4 Prescott, che scatenò subito diverse polemiche legate appunto al suo alto "leakage", e quindi all'enorme consumo. Tale problema dovrebbe risolversi con il futuro utilizzo, in processi costruttivi più evoluti, di una nuova versione della tecnologia Strained silicon e un nuovo strato isolante a bassa costante K (Low K dielectric). AMD invece ha adottato una diversa tecnica di produzione, diversa da quella "Strained silicon", chiamata SOI (acronimo di "Silicon On Insulator"): durante il processo di fabbricazione un sottile strato di ossido viene applicato sopra il wafer fungendo da strato isolante in modo da mantenere più facilmente gli elettroni all'interno della struttura del chip. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 65 nm.
  • 90 nm désigne la technologie de gravure de microporcesseurs qui a été atteinte dans les années 2004-2005 par les principaux fabricants, à savoir Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM, et TSMC. Parmi les microprocesseurs gravés en 90 nm figure le Pentium 4 d'Intel, l'Athlon 64 d'AMD, ou les premières générations de Xenon.
  • O processo de fabrico de 90 nanómetros (90 nm) em CMOS corresponde a um nó tecnológico alcançado entre os anos de 2002 e 2003 pelas principais companhias de fabricação de semicondutores, tais como a Intel Corporation, a AMD, a Infineon, a Texas Instruments, a IBM e a TSMC. A origem do valor 90 nm é histórica, refletindo uma redução da dimensão dos transístores em cerca de 30% a cada 3 anos.
  • 90纳米制程是半导体制造制程的一个水平,大约于2004年至2005年左右达成。 这个是由当时的领先半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外,12英寸圆晶在这个制程上成为主流。
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